世界最大的存储芯片制造商三星电子(Samsung Electronics Co.)的一位管理人员周二表示，为了在快速增长的人工智能芯片领域赢得日益激烈的主导权争夺战，三星电子计划在2025年推出第六代高性能高带宽内存(HBM4) DRAM芯片。
三星电子负责DRAM产品及技术的常务副总经理黄尚俊(音)表示:“目前正在开发该产品，并计划向客户提供第五代HBM3E的样品。”
HBM是一种高容量、高性能的半导体芯片，用于支持ChatGPT等生成式人工智能设备、高性能数据中心和机器学习平台，对HBM的需求正在飙升。
三星一直在与规模较小的国内竞争对手SK海力士(SK Hynix Inc.)展开激烈竞争，争夺该行业的主导地位。
黄禹锡在向三星电子宣传网站“三星新闻室”投稿的文章中表示:“三星在2016年首次将高性能计算(HPC)用HBM商用化。”“在批量生产第二代至第四代HBM产品的同时，开创了人工智能存储芯片市场。”
三星电子的目标是通过半导体“交钥匙”服务，引领人工智能芯片市场，包括代工、存储芯片供应、先进封装和测试。
Hwang表示，“除了HBM，我们还提供尖端的2.5D和3D封装等定制化的全套服务。”我们将为人工智能和高性能计算时代提供最好的服务。”
未来存储芯片业务
黄长烨发表了包括计算机快速链接(CXL) DRAM和内存处理(PIM)在内的未来存储芯片事业蓝图。
CXL是下一代接口，可提高高性能服务器系统中与中央处理单元(cpu)一起使用的加速器、DRAM和存储设备的效率。PIM是一种像CPU一样帮助处理数据的DRAM。
“内存瓶颈对于像ChatGPT这样处理海量数据的设备来说是致命的，”焕说。“我们最近开发的HBM-PIM缓解了数据带宽瓶颈，同时将工作性能提高了12倍。”
他补充说，该公司还致力于在CXL dram上构建PIM结构。
黄禹锡对上个月公开的低功耗压缩附加存储器(LPCAMM)寄予厚望。LPCAMM是一种更先进的存储器形式，建立在多个低功耗双数据速率(LPDDR)存储器芯片的封装之上，是业界首创。
“LPCAMM将有助于使笔记本电脑和其他设备更薄，因为它需要的安装空间比现有产品窄60%，”他说。“它的性能和能效分别提高了50%和70%。因此，它不仅将用于笔记本电脑，还将用于数据中心。”
他说:“三星电子计划在未来使用全球DRAM市场的拐点10纳米以下的加工技术。”
我们将提供世界在人工智能时代需要的超高性能、超高容量、超低功耗的存储产品。”
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评论列表（4条）
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希望本篇文章《三星电子将在2025年推出HBM4，以赢得人工智能领域的战争》能对你有所帮助！
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